量子点(QD)发光二极管(LED)正在成为下一代显示器最有希望的候选者之一。然而，它们的固有光外耦合效率仍然远低于OLED，因为在器件级别上控制量子点固体中的跃迁偶极矩(TDM)取向是不可能的。鉴于此，年4月19日瑞士苏黎世联邦理工学院Chih-JenShih团队于NatureCommunications刊发各向异性纳米晶体超晶格突破钙钛矿量子点发光二极管中固有光外耦合效率限制的研究成果。使用胶体卤化铅钙钛矿各向异性纳米晶体（ANCs）作为模型系统，报告了一种定向自组装方法来形成各向异性纳米晶体超晶格（ANSLs）。单个各向异性纳米晶体中的发射极化重新调整了水平和垂直过渡偶极子的辐射，有效地导致优先水平TDM方向。基于由各向异性纳米晶体超晶格组成的发射薄膜，证明了水平偶极子的比率提高到0.75，从而提高了大于30%的理论光输出耦合效率。优化的单结量子点LED的峰值外部量子效率高达24.96%，与最先进的OLED相当。
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