全无机CsPbI3钙钛矿因其出色的载流子迁移率、高色纯度和溶液可加工性而对深红色发光二极管(LED)具有吸引力。然而，光学活性CsPbI3黑相的高相变能垒阻碍了高效和明亮LED的制造。鉴于此，年4月20日中国科学技术大学姚宏斌团队于JACS刊发α-BaF2纳米颗粒衬底异质外延生长γ-CsPbI3制备高效和明亮的深红色LED的研究成果。报告了一种新型α-BaF2纳米颗粒基板促进的溶液可加工异质外延生长，以克服这一障碍并获得高质量的光学活性γ-CsPbI3薄膜，从而实现高效和明亮的深红色LED。揭示了基于α-BaF2纳米颗粒的异质外延生长衬底上的高度暴露平面与γ-CsPbI3的()平面具有99.5%的晶格匹配度。这种超高的晶格匹配度启动了低缺陷和高取向γ-CsPbI3薄膜在衬底上的溶液处理界面无应变外延生长。所获得的γ-CsPbI3薄膜均匀、光滑且发光度高，在此基础上，制造了高效、明亮的深红色LED，其峰值外量子效率高达14.1%，创纪录的亮度为cdm-2。
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